氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電力電子、射頻（RF）器件和光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅基材料相比，GaN具有更高的電子遷移率、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率，能夠在高溫、高頻和高功率條件下工作，因此在提高能效和減小設(shè)備體積方面展現(xiàn)出巨大潛力。

　　近年來，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了快速發(fā)展階段。特別是在射頻電子領(lǐng)域，如5G通信基站中的功率放大器，GaN技術(shù)因其出色的性能而受到青睞。此外，在電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的電源管理系統(tǒng)中，GaN也顯示出了替代傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的趨勢(shì)。預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)，全球GaN市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將保持較高水平。

　　在中國(guó)，氮化鎵行業(yè)同樣呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。中國(guó)政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并將其列為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一。隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)對(duì)GaN技術(shù)研發(fā)投入的增加，中國(guó)在這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力不斷增強(qiáng)。目前，中國(guó)不僅擁有完整的GaN產(chǎn)業(yè)鏈，包括材料生長(zhǎng)、器件制造、封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)，而且在某些細(xì)分市場(chǎng)上已經(jīng)達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平。例如，在消費(fèi)電子快充領(lǐng)域，中國(guó)品牌推出的基于GaN的充電器已經(jīng)在全球范圍內(nèi)獲得廣泛應(yīng)用。2024年1-6月，中國(guó)（含臺(tái)灣）半導(dǎo)體行業(yè)投資資金按項(xiàng)目類別來看硅片投資占比最高，占比約為48.9%，投資金額達(dá)到327.3億人民幣；Sic/Gan投資占比約為16.9%，投資金額達(dá)到113.5億人民幣。

　　圖表：2020-2023年中國(guó)GaN產(chǎn)能

　　數(shù)據(jù)來源：中投產(chǎn)業(yè)研究院整理

　　圖表：2015-2024年中國(guó)氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠�申�?qǐng)及授權(quán)量

　　數(shù)據(jù)來源：企知道、中投產(chǎn)業(yè)研究院整理（截至2024年8月29日）

　　圖表：中投顧問對(duì)2024-2028年中國(guó)GaN產(chǎn)能規(guī)模預(yù)測(cè)

　　數(shù)據(jù)來源：中投產(chǎn)業(yè)研究院整理

　　為了推動(dòng)氮化鎵行業(yè)的發(fā)展，中國(guó)政府出臺(tái)了一系列政策措施給予支持。這些政策包括但不限于研發(fā)資金補(bǔ)助、稅收減免、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)以及設(shè)立國(guó)家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)等。例如，《中國(guó)制造2025》規(guī)劃明確提出要大力發(fā)展新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)，其中就包括了氮化鎵在內(nèi)的新材料。此外，地方政府也在積極推動(dòng)地方性產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃，為相關(guān)企業(yè)提供更多的成長(zhǎng)空間。

　　中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2028年中國(guó)氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告》共九章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等，接著分析了半導(dǎo)體材料和氮化鎵產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展?fàn)顩r。然后報(bào)告從企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)、市場(chǎng)主要類型、應(yīng)用領(lǐng)域、國(guó)內(nèi)外企業(yè)等方面對(duì)氮化鎵行業(yè)進(jìn)行了系統(tǒng)解析，最后報(bào)告對(duì)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的投資潛力及發(fā)展前景進(jìn)行了科學(xué)的預(yù)測(cè)。

報(bào)告目錄

第一章　氮化鎵相關(guān)概述

1.1　氮化鎵基本介紹
1.1.1　氮化鎵基本概念
1.1.2　氮化鎵形成階段
1.1.3　氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
1.1.4　氮化鎵半導(dǎo)體作用
1.2　氮化鎵材料的特性
1.2.1　結(jié)構(gòu)特性
1.2.2　化學(xué)特性
1.2.3　光學(xué)特性
1.2.4　電學(xué)性質(zhì)
1.2.5　磁學(xué)特性
1.3　氮化鎵的制備方法
1.3.1　金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)
1.3.2　分子束外延（MBE）技術(shù)
1.3.3　氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)
1.3.4　懸空外延技術(shù)（Pendeo-epitaxy）

第二章　2022-2024年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述

2.1　半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
2.1.1　第一代半導(dǎo)體材料
2.1.2　第二代半導(dǎo)體材料
2.1.3　第三代半導(dǎo)體材料
2.1.4　半導(dǎo)體材料的應(yīng)用
2.2　2022-2024年全球半導(dǎo)體材料發(fā)展?fàn)顩r
2.2.1　市場(chǎng)規(guī)模分析
2.2.2　市場(chǎng)態(tài)勢(shì)分析
2.2.3　區(qū)域分布狀況
2.2.4　細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
2.2.5　產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移
2.3　2022-2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
2.3.1　行業(yè)發(fā)展特性
2.3.2　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.3.3　企業(yè)注冊(cè)數(shù)量
2.3.4　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)
2.3.5　應(yīng)用環(huán)節(jié)分析
2.3.6　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
2.4　半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問題及發(fā)展對(duì)策
2.4.1　行業(yè)發(fā)展滯后
2.4.2　產(chǎn)品同質(zhì)化問題
2.4.3　供應(yīng)鏈不完善
2.4.4　行業(yè)發(fā)展建議
2.4.5　行業(yè)發(fā)展思路
2.5　半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展前景展望
2.5.1　市場(chǎng)結(jié)構(gòu)性機(jī)會(huì)
2.5.2　行業(yè)發(fā)展前景
2.5.3　行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2.5.4　新型材料展望

第三章　2022-2024年氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析

3.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
3.1.1　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
3.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
3.1.3　產(chǎn)業(yè)支持政策
3.1.4　國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)展
3.2　2022-2024年氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
3.2.1　氮化鎵市場(chǎng)發(fā)展變局
3.2.2　氮化鎵市場(chǎng)產(chǎn)值規(guī)模
3.2.3　氮化鎵應(yīng)用狀況分析
3.2.4　氮化鎵應(yīng)用技術(shù)突破
3.2.5　氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展
3.3　氮化鎵技術(shù)專利申請(qǐng)狀況
3.3.1　中國(guó)氮化鎵專利申請(qǐng)狀況
3.3.2　中國(guó)氮化鎵專利技術(shù)構(gòu)成
3.3.3　中國(guó)氮化鎵專利申請(qǐng)人分析
3.3.4　中國(guó)氮化鎵專利發(fā)明人分析
3.3.5　中國(guó)氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新熱點(diǎn)

第四章　2022-2024年氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)情況分析

4.1　2022-2024年全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析
4.1.1　全球氮化鎵市場(chǎng)區(qū)域競(jìng)爭(zhēng)
4.1.2　全球氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.1.3　全球氮化鎵企業(yè)市場(chǎng)份額
4.1.4　全球氮化鎵企業(yè)布局情況
4.1.5　全球氮化鎵企業(yè)投資并購(gòu)
4.1.6　全球氮化鎵中國(guó)企業(yè)布局
4.2　2022-2024年中國(guó)氮化鎵企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)分析
4.2.1　國(guó)內(nèi)氮化鎵競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)
4.2.2　國(guó)內(nèi)氮化鎵集中度
4.2.3　國(guó)內(nèi)氮化鎵企業(yè)研發(fā)及創(chuàng)新
4.2.4　國(guó)內(nèi)氮化鎵廠商布局
4.3　氮化鎵快充市場(chǎng)主要廠商及制造工廠
4.3.1　氮化鎵快充市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
4.3.2　主要廠商及其合作伙伴
4.3.3　氮化鎵快充制造工廠
4.3.4　未來技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)分析
4.4　GaN器件主要企業(yè)及其產(chǎn)品分布
4.4.1　GaN電力電子器件
4.4.2　GaN光電子器件

第五章　2022-2024年氮化鎵器件主要類型發(fā)展分析

5.1　發(fā)光二極管（LED）
5.1.1　發(fā)光二極管（LED）發(fā)展概述
5.1.2　發(fā)光二極管（LED）市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀
5.1.3　發(fā)光二極管（LED）模塊進(jìn)出口數(shù)據(jù)
5.1.4　氮化鎵基藍(lán)綠光LED發(fā)展歷程
5.1.5　氮化鎵在LED領(lǐng)域的技術(shù)突破
5.2　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）
5.2.1　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）發(fā)展概述
5.2.2　GaN　FET與硅FET的比較分析
5.2.3　GaN　FET產(chǎn)品的應(yīng)用情況
5.2.4　GaN　FET產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展
5.3　激光二極管（LD）
5.3.1　激光二極管（LD）發(fā)展概述
5.3.2　激光二極管（LD）背景技術(shù)
5.3.3　激光器進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
5.3.4　GaN基激光器發(fā)展概況分析
5.3.5　GaN基激光器應(yīng)用狀況分析
5.3.6　GaN基激光器技術(shù)發(fā)展情況
5.3.7　GaN基激光器發(fā)展前景展望
5.4　二極管（Diodes）
5.4.1　二極管（Diodes）發(fā)展概述
5.4.2　二極管進(jìn)出口市場(chǎng)數(shù)據(jù)分析
5.4.3　氮化鎵二極管技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
5.5　射頻器件（RF）
5.5.1　射頻器件（RF）發(fā)展概述
5.5.2　GaN射頻器件市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
5.5.3　GaN射頻元件企業(yè)發(fā)展分析
5.5.4　GaN射頻器件主要需求領(lǐng)域
5.6　太陽(yáng)能電池（Solar　Cells）
5.6.1　中國(guó)太陽(yáng)能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
5.6.2　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展概述
5.6.3　InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率影響因素
5.6.4　InGaN/GaN量子阱太陽(yáng)能電池效率提升工藝
5.6.5　InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展展望

第六章　2022-2024年氮化鎵應(yīng)用領(lǐng)域分析

6.1　氮化鎵在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.1.1　電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
6.1.2　GaN應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
6.1.3　GaN電力電子器件分布情況
6.1.4　GaN基電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)
6.1.5　氮化鎵應(yīng)用機(jī)會(huì)及趨勢(shì)
6.2　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.2.1　氮化鎵在新能源行業(yè)的優(yōu)勢(shì)
6.2.2　氮化鎵在新能源行業(yè)應(yīng)用潛力
6.2.3　氮化鎵在新能源的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)
6.2.4　氮化鎵在新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
6.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.3.1　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用領(lǐng)域
6.3.2　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
6.3.3　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中未來發(fā)展方向
6.3.4　氮化鎵在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)中的市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)
6.4　氮化鎵在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
6.4.1　氮化鎵在通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
6.4.2　氮化鎵在通訊設(shè)備市場(chǎng)技術(shù)問題
6.4.3　氮化鎵在通訊設(shè)備市場(chǎng)應(yīng)用前景
6.5　氮化鎵其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
6.5.1　GaN在無(wú)線基站領(lǐng)域應(yīng)用
6.5.2　GaN在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.3　GaN在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
6.5.4　GaN在壓力傳感器中的應(yīng)用
6.5.5　GaN在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用

第七章　2022-2024年國(guó)際氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

7.1　MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.1.2　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
7.1.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.2　科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.2.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.2.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.3　亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices, Inc.）
7.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.3.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.3.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.4　恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.4.2　企業(yè)產(chǎn)品開發(fā)
7.4.3　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
7.5　英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
7.5.2　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
7.5.3　企業(yè)布局狀況
7.5.4　企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況

第八章　2021-2024年中國(guó)氮化鎵產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析

8.1　蘇州納維科技有限公司
8.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.1.2　企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)
8.1.3　企業(yè)項(xiàng)目動(dòng)態(tài)
8.2　蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
8.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.2.2　企業(yè)發(fā)展成就
8.2.3　企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
8.3　東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司
8.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.3.2　企業(yè)核心技術(shù)
8.3.3　企業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
8.3.4　企業(yè)發(fā)展規(guī)劃
8.4　三安光電股份有限公司
8.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
8.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
8.5　杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
8.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
8.6　四川海特高新技術(shù)股份有限公司
8.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
8.6.2　企業(yè)的行業(yè)地位
8.6.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
8.6.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
8.6.5　財(cái)務(wù)狀況分析
8.6.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析

第九章　2024-2028年氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)

9.1　氮化鎵產(chǎn)業(yè)投資潛力分析
9.1.1　產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
9.1.2　企業(yè)并購(gòu)動(dòng)態(tài)
9.1.3　投資擴(kuò)產(chǎn)狀況
9.1.4　市場(chǎng)進(jìn)入壁壘
9.2　氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景展望
9.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
9.2.2　市場(chǎng)應(yīng)用潛力
9.2.3　市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
9.3　中投顧問對(duì)2024-2028年中國(guó)氮化鎵市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
9.3.1　中投顧問對(duì)氮化鎵發(fā)展驅(qū)動(dòng)五力模型分析
9.3.2　中投顧問對(duì)2024-2028年中國(guó)GaN產(chǎn)能規(guī)模預(yù)測(cè)